你的位置:首页 >> 资讯 >> 行业评论 >> 详细内容 在线投稿

美研究者制造出无电子阻挡层结构的纳米线LED

排行榜 收藏 打印 发给朋友 举报 来源: LED世界资讯网  
共0条评论】【我要评论 时间:2020年3月17日

Compound Semiconductor报道,美国新泽西理工学院(New Jersey Institute of Technology NJIT)展示了高效的全彩和纯白光LED,采用无电子阻挡层的InGaN/GaN(铟镓氮/氮化镓)纳米线结构,该结构利用了两个附加的铟稼氮量子阱。LED世界资讯网1sK"cC,o:}wq

 LED世界资讯网`4PZNEs

传统方法是在元器件的活性区和p-氮化镓层之间使用铝氮化镓电子束蚀刻(AlGaN EBL),但这个过程会形成一个高阻隔,对空穴注入过程产生不利影响。而NJIT提出的耦合量子阱方法可通过减少电子外溢来解决这个问题,电子外溢是导致效率下降的主要原因。LED世界资讯网V?0?5_O*o

 

2f/N _k)T/q0

在该研究中,研究团队考虑了三种不同的InGaN/GaN纳米线LED结构,其中,耦合量子阱方案中,在n-氮化镓层与活性区之间有一个控制电子外溢的InGaN阱,而为了利用从活动区溢出的电子,第二个InGaN阱就存在于活性区与p-氮化镓层之间,以减少p-氮化镓层的电子损耗,并提供蓝光发射来相对控制LED器件的白光发射。

4cB*F%|%P6Z0

 LED世界资讯网9[#Ly#u7h8R+WK

NJIT电子与计算机工程系的研究团队表示,最终制成的无电子束蚀刻的纳米线全彩和白光LED显示出约58.5%的高内量子效率,无荧光粉白光发射非常稳定,且效率几乎没有下降。LED世界资讯网)d;l e)Y&`wQ-n

 LED世界资讯网b$o`]d,|?O

该团队已在富氮条件下,使用射频等离子辅助分子束外延(RF plasma-assisted MBE)法(Veeco Gen II MBE)在硅(111)衬底上生长InGaN/GaN纳米线,并制备了表征器件。他们表示,最终制成的结构展示了出色的电流电压特性,与传统结构相比,新结构具备漏电流小、输出功率高、外量子效率高等特点。

+q v&TFPw0

 LED世界资讯网1CX r l2m7a

未来,研究团队将致力于研究InGaN/GaN核壳纳米线LED中耦合量子阱的集成,以提高载流子分布的均匀性,增强活动区的辐射复合。他们认为,LED世界资讯网tsO4Mh[

 

Gk:xyd0e0

这将有助于制备高外量子效率及高光输出功率的核壳LED器件,并希望此类纳米线LED将应用到未来的Micro LED显示器中。LED世界资讯网)R'H1J)d+hy3\A

 

,[p9zQH y'F i0

据悉,该研究结果已于20201月发表在《光学快报》(Optics Express)期刊上。LED世界资讯网f'qUm$A?1i

 

JA{J-Q6SQ6hW)K0
顶:86 踩:104
对本文中的事件或人物打分:
当前平均分:-0.11 (715次打分)
对本篇资讯内容的质量打分:
当前平均分:0.05 (741次打分)
【已经有563人表态】
91票
感动
62票
路过
57票
高兴
61票
难过
68票
搞笑
68票
愤怒
77票
无聊
79票
同情
上一篇 下一篇
查看全部回复【已有0位网友发表了看法】