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无需“巨量转移”的Micro LED磊晶技术发表

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共0条评论】【我要评论 时间:2019年8月02日
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由台湾中央大学光电系陈升晖教授带领的萌芽新创团队Microluce近期发表Micro LED磊晶技术,透过高能物理在低温状态下即可长出高品质氮化镓薄膜,完全抛弃主流的巨量转移制程,成本仅是现有微发光二极体显示器的十分之一,具有量产潜力,相关技术已获得了台湾及美国专利。

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巨量转移是现今Micro LED显示器最重要的步骤,已发展近十年,但该团队认为巨量转移是错误方向,主要因现今的LED晶粒须覆晶制程及结构弱化等程序,蓝绿光材料是氮化镓,红光材料是砷化镓,两种材料的驱动电压不同,驱动电路将造成困难,尤其成本考量上,坏点修复问题不易克服,因此难以量产。

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该团队透过高能物理的方式,突破以往一千度以上的高温限制,在低温状态下即可长出高品质的氮化镓薄膜,温度可控制在500至700度左右;面版尺寸可从2英吋至12英吋,可随着制程设备等比例放大,并结合大数据分析,找出最佳磊晶模式。

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.C+k9G%lT&u X+?p+z#Mm0现今巨量转移2K画素的MicroLED面板成本高于33万台币,该团队自主开发的磊晶板,搭配奈米材料技术可达到全彩化的微发光二极体显示效果,一片面板的成本仅现有的十分之一,深具量产潜力。(来源:中时电子报)LED世界资讯网W2M'o8P&m/qP3}v*k

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关键词: 巨量转移
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