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台湾高校在Micro LED微显示技术与5G通信器件芯片技术获得重大突破

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共0条评论】【我要评论 时间:2019年7月31日

LU d/F t'c)O3n0近日,台湾交通大学郭浩中教授团队为了解决目前微显示发光二极管(Micro LED)三基色转移的问题,发展出一种在单一芯片上利用量子史塔克效应(Quantum Stark Effect)与量子点喷涂技术形成RGB三原色的微显示Micro LED技术,不但保证了亮度,也解决了红光与绿光在制程与均匀度的问题,为未来Micro LED量产化找到了一个比较好的技术捷径。在移动通信方面,5G将会是未来十年人类最重要的通信技术,毫米波的使用将促使基站与终端手机的射频元器件要求越来越高,高线性度、高功率附加效率与高可靠度的要求都会促使新材料与新技术进一步的发展,氮化镓(GaN)的高电子迁移率场效电晶体(HEMT)将会是未来最重要的器件,除了5G的应用,它更可以用在电力电子的功率半导体器件,可以提高能源使用效率,让地球更美好。

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在这两个技术突破的过程中,原子层沉积ALD(Atomic Layer Deposition)技术扮演了非常重要的角色,尤其是对元器件的保护至关重要,ALD技术目前已经广泛使用在集成电路IC与光电产业,尤其是在关键的功能性纳米膜层与芯片器件的保护膜层上。(此次ALD设备,主要与芬兰的设备商Picosun公司合作)

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