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重磅 | 国星光电推出第三代半导体系列新产品

排行榜 收藏 打印 发给朋友 举报 来源: 国星光电  
共0条评论】【我要评论 时间:2021年4月20日
 第三代半导体Central issue

2020年10月,国星光电成功举办了首届国星之光论坛,论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇,迅速拓展第三代半导体新赛道。近期,国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,在新的赛道上迈出了坚实的步伐。LED世界资讯网cq(GL|

 

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新赛道 开新局LED世界资讯网Z&Z8i8zv |N"Zk

第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要发展方向。与传统的硅基半导体相比,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外,还具有高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点。LED世界资讯网3\ _TCgq

 

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风乘国家“十四五”对半导体集成电路领域的规划,国星光电在“三代半封测”领域大力布局,在传承“LED封测”高可靠性的品质管理体系基础上,致力于打造高可靠性及高品质优势的“专业三代半功率封测企业”。LED世界资讯网6F(O/u {?P"k _

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新方向 创新品LED世界资讯网;k-e,K*o8d Y#R9[

目前,国星光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。国星光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业,坚定高性能、高可靠性、高品质的产品路线。

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●SiC功率器件

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国星光电SiC功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;拥有4种封装结构(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。LED世界资讯网-UT@1M4Z8}'v r r x8S


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●GaN-DFN器件

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国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总成本的同时,工作频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。

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●功率模块

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国星光电第三代半导体功率模块,采用自主创新的架构及双面高效散热设计,具有优越的电性能和热性能,杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势,其功率密度大,产品体型小,可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域,满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。LED世界资讯网9U*eA9S!H


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为做好技术储备积累,满足市场需求,2020年国星光电便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。目前,国星光电第三代半导体新品已正式推出,其中,TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段,并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。

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与此同时,公司产品已送至第三方有资质的机构,正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。LED世界资讯网sfBQ3M'Gi

未来,在国家“十四五”规划的伟大蓝图下,国星光电定将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化,为国家战略安全、为第三代半导体国产化贡献力量。LED世界资讯网|fZ|f eH~

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关键词: 第三代半导体 国星光电 新品
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