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厦门三安光电公开两项新发明专利

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共0条评论】【我要评论 时间:2021年2月23日

2月19日,厦门三安光电有限公司公开了发明名称为“一种LED发光装置及其制造方法”和“发光二极管器件及其制备方法”两项发明专利。LED世界资讯网Zoc? S[w\


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专利一:一种LED发光装置及其制造方法LED世界资讯网%lH)[5e*X`W%O

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其中,发明名称为“一种LED发光装置及其制造方法”的发明专利,公开号为CN112382716A,申请日期为2020年10月28日。申请(专利权)人:厦门三安光电有限公司;发明人为:江宾、林素慧、曾炜竣、彭康伟、曾明俊、何安和、刘小亮。LED世界资讯网6|-}&P/~!PZ

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据了解,LED芯片因为其优良的性能得到快速发展。其中的紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值,尤其是在杀菌消毒方面的应用,引起了人们的高度关注,成为了新的研究热点。UV LED用于杀菌、消毒时,其使用环境大部分湿气较严重,这就对UVC LED的封装提出了更高的要求。
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该项发明提供一种LED发光装置及其制造方法,该LED发光装置包括基板,所述基板具有相对设置的第 一表面和第二表面,所述第 一表面上设置有导电线路层;LED芯片,所述LED芯片通过所述导电线路层固定在所述基板的第 一表面上;无机密封层,所述无机密封层覆盖所述LED芯片的表面、侧壁以及所述基板的第一表面。LED世界资讯网 qk:I;`E5?r'W

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上述无机密封层可以是SiO2和/或HfO2等一层或多层氧化物层。该无机密封层对UV或者UVC具有较高的透过率,并且即使长时间在UV或者UVC的照射下,也不会出现老化或龟裂等问题。本发明在LED芯片的表面、侧壁以及基板的第 一表面上同时形成上述无机密封层,能够同时有效保护LED芯片及基板。LED世界资讯网m$FN%h5o2y\D


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专利二:发光二极管器件及其制备方法LED世界资讯网f:w#X6v8@Gjp }

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另一项发明名称为“发光二极管器件及其制备方法”的专利,公开号为CN112382711A,申请日期为2020年10月19日。申请(专利权)人:厦门三安光电有限公司;发明人为:张博扬、董浩。LED世界资讯网)`Y8{8l:a

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发光二极管器件由于其较高的发光效率在很多领域均有广泛的应用。为了提高发光二极管器件的出光效率,现有常见的发光二极管器件常在半导体外延层下方设置反射层,反射层的面积越大,其出光效率越高。但是,现有发光二极管器件一般均需对半导体外延层粗化处理,在粗化处理过程中,蚀刻液容易渗透至反射层,并刻蚀反射层,从而影响发光二极管器件的出光效率。
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因此,如何在发光二极管器件具有较大反射层的情况下,避免反射层在后续形成粗糙部过程中被刻蚀,以提高发光二极管器件的出光效率,成为本领域亟需解决的问题。
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此项申请公开了一种发光二极管器件及其制备方法,适用于发光二极管相关技术领域。该发光二极管器件管包括基板、台面结构、功能层和保护层;台面结构包括由第 一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层顺序排列所构成的半导体外延层;第二类型半导体层位于靠近基板的一侧,第 一类型半导体层背对基板的表面配置有粗糙部;功能层,包括用于与半导体外延层连接的第 一表面和用于与基板连接的第二表面;半导体外延层的面积小于功能层的面积;保护层配置为:至少覆盖第 一表面除半导体外延层之外的区域。
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本申请利用保护层遮挡住功能层除半导体外延层之外的区域,提高发光二极管器件中反射层的面积,进而提高发光二极管器件的出光效率。LED世界资讯网V&i/k V-P(r4E:I

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关键词: 厦门三安光电
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