评论:东北大学开发出低电流下高效发光的GaN Micro LED

[查看全文]
产业技术综合研究所和东北大学于2019年7月宣布,他们开发了一种在电流密度较低情况下也能保持发光效率的GaN(氮化镓)Micro LED。他们试做的GaN Micro LED尺寸仅为6μm见方,如果把这款GaN Micro LED以较高的密度...
发表评论

网友评论仅供网友表达个人看法,并不表明本网同意其观点或证实其描述。